產(chǎn)品目錄 PRODUCT
- IGBT模塊
- 英飛凌IGBT模塊
- 英飛凌整流橋
- 英飛凌二極管
- 英飛凌可控硅
- 英飛凌模塊
- ABB模塊
- ABB可控硅
- ABB變頻器維修配件
- 西門康模塊
- 西門康IGBT模塊
- 西門康IGBT智能模塊
- 西門康大功率模塊
- 西門康二極管
- 西門康整流橋
- 西門康可控硅模塊
- 西門子IGBT模塊
- 西門子可控硅
- 西門子變頻器配件
- 三菱IGBT模塊
- 三菱整流橋
- 三菱GTR模塊（達(dá)林頓）
- 三菱IPM智能模塊
- 三菱IGBT快恢復(fù)二極管模塊
- 三菱IGBT可控硅模塊
- 三菱PIM整流逆變集成
- EUPEC IGBT
- EUPCE模塊
- EUPEC平板可控硅
- EUPEC可控硅
- EUPEC 二極管
- EUPEC整流橋
- IXYS 整流橋
- IXYS可控硅
- IXYS二極管
- 富士IGBT
- 富士整流橋
- 富士IGBT可控硅
- 富士變頻器維修配件
- 富士IPM智能模塊
- 富士IGBT二極管模塊
- 富士GTR模塊（達(dá)林頓）
- 東芝IGBT
- 東芝可控硅模塊
- 東芝智能型IGBT
- 東芝GTR模塊（達(dá)林頓）
- 東芝復(fù)合模塊PIM
- 東芝二極管模塊
- 瑞士驅(qū)動(dòng)模塊
- 二極管
- 三社二極管
- 三社達(dá)林頓模塊
- 三社可控硅模塊
- 三社整流橋
- 西班牙廠家整流橋
- 三墾IGBT模塊
- 三墾GTR模塊（達(dá)林頓）
- 三墾智能型IPM
- IR IGBT模塊
- 西瑪可控硅
- 羅蘭快速熔斷器
- 富士熔斷器
- 美國BUSSMAN快熔
- 電解電容 高頻無感電容
- 光耦
- 場(chǎng)效應(yīng)模塊
- IR可控硅
新聞詳情
IGBT模塊：現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心
日期：2025-05-09 20:19
瀏覽次數(shù)：133
摘要：
IGBT模塊：現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心
一、IGBT模塊的結(jié)構(gòu)與工作原理
IGBT 模塊通常由多個(gè) IGBT 芯片、續(xù)流二極管、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路以及散熱基板等組成，并封裝在一個(gè)緊湊的模塊中。其核心部件 IGBT 芯片采用縱向結(jié)構(gòu)，包含集電極、發(fā)射極和柵極三個(gè)電極。
IGBT 的工作原理可以簡(jiǎn)單理解為通過柵極電壓控制集電極和發(fā)射極之間的導(dǎo)通與關(guān)斷。當(dāng)柵極施加正向電壓時(shí)，MOS 結(jié)構(gòu)形成導(dǎo)電溝道，為 BJT 提供基極電流，使 IGBT 導(dǎo)通；當(dāng)柵極電壓為零或負(fù)壓時(shí)，導(dǎo)電溝道消失，IGBT 關(guān)斷。
...
IGBT模塊：現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心
一、IGBT模塊的結(jié)構(gòu)與工作原理
IGBT模塊通常由多個(gè) IGBT 芯片、續(xù)流二極管、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路以及散熱基板等組成，并封裝在一個(gè)緊湊的模塊中。其核心部件 IGBT 芯片采用縱向結(jié)構(gòu)，包含集電極、發(fā)射極和柵極三個(gè)電極。
IGBT 的工作原理可以簡(jiǎn)單理解為通過柵極電壓控制集電極和發(fā)射極之間的導(dǎo)通與關(guān)斷。當(dāng)柵極施加正向電壓時(shí)，MOS 結(jié)構(gòu)形成導(dǎo)電溝道，為 BJT 提供基極電流，使 IGBT 導(dǎo)通；當(dāng)柵極電壓為零或負(fù)壓時(shí)，導(dǎo)電溝道消失，IGBT 關(guān)斷。
二、IGBT模塊的優(yōu)勢(shì)
高輸入阻抗，低驅(qū)動(dòng)功率： IGBT 的柵極采用 MOS 結(jié)構(gòu)，輸入阻抗高，驅(qū)動(dòng)功率小，簡(jiǎn)化了驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。
低導(dǎo)通壓降，高電流密度： IGBT 繼承了 BJT 的低導(dǎo)通壓降特性，能夠承受較高的電流密度，降低導(dǎo)通損耗。
高開關(guān)頻率，低開關(guān)損耗： IGBT 的開關(guān)速度比 BJT 快，開關(guān)損耗低，適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)合。
模塊化設(shè)計(jì)，易于安裝維護(hù)： IGBT 模塊將多個(gè)芯片和電路集成在一起，結(jié)構(gòu)緊湊，便于安裝和維護(hù)。
